Manufacturing of a poi structure with a highly uniform piezoelectric layer

WO2025132667 Art A1 26. Juni 2025

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025132667
Aktenzeichen: EP24833327
Anmeldetag: 18. Dezember 2024
Veröffentlichung: 26. Juni 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10N30/073H10N30/086

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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