Metallic source/drain with stress for advanced logic transistors

WO2025133793 Art A1 26. Juni 2025

Anmelder: APPLIED MATERIALS, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025133793
Aktenzeichen: EP24906714
Anmeldetag: 4. Dezember 2024
Veröffentlichung: 26. Juni 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10D30/69H10D30/00H10D84/85H10D84/01H10D62/13H10D30/67

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: APPLIED MATERIALS, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von