Method for manufacturing heteroepitaxial wafer

WO2025134577 Art A1 26. Juni 2025

Anmelder: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025134577
Aktenzeichen: EP24906965
Anmeldetag: 8. November 2024
Veröffentlichung: 26. Juni 2025
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36C23C16/42C30B25/18H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.180 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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