Cleaning solution for simultaneously removing photoresist residue and etch stop layer, and method for manufacturing semiconductor circuit element using same
WO2025135091
Art A1
26. Juni 2025
Anmelder: MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025135091
- Aktenzeichen
- EP24907475
- Anmeldetag
- 19. Dezember 2024
- Veröffentlichung
- 26. Juni 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/304H01L21/027
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Gas Chemical Company
Japanisches Chemieunternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Fokus auf technische Kunststoffe, Methanol und Spezialchemikalien. Der Konzern beliefert unter anderem die Elektronik- und Verpackungsindustrie.
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