Sacrificial film to reduce bowing for a high aspect ratio etch

WO2025136746 Art A1 26. Juni 2025

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025136746
Aktenzeichen: EP24908644
Anmeldetag: 10. Dezember 2024
Veröffentlichung: 26. Juni 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/033H01L21/306H01L21/3065H01L21/308

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von