Depositing Etch Stop Layer

WO2025136812 Art A1 26. Juni 2025

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025136812
Aktenzeichen: EP24908679
Anmeldetag: 13. Dezember 2024
Veröffentlichung: 26. Juni 2025
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/04C23C16/26C23C16/02C23C16/455

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von