Laterally diffused metal-oxide-semiconductor device and preparation method therefor
WO2025138983
Art A1
3. Juli 2025
Anmelder: UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE AND TECHNOLOGY OF, CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025138983
- Aktenzeichen
- EP24909932
- Anmeldetag
- 30. August 2024
- Veröffentlichung
- 3. Juli 2025
- Rechtsraum
- WO
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE AND TECHNOLOGY OF
CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD. - Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
CSMC Technologies Fab2
CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. ist ein chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Wuxi, der als Foundry Leistungshalbleiter und analoge Bauelemente fertigt. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik, Optik und Mess- und Prüftechnik. Anmeldungen erfolgen seit 2010 bis in die Gegenwart.
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