Method for directly bonding two substrates

WO2025140983 Art A1 3. Juli 2025

Anmelder: SOITEC, COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025140983
Aktenzeichen: EP24834026
Anmeldetag: 20. Dezember 2024
Veröffentlichung: 3. Juli 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/762H01L21/20H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: SOITEC
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

799 Patente in unserer Datenbank

🇫🇷 Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

Die Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (CEA) ist eine französische staatliche Forschungseinrichtung mit Schwerpunkt Kernenergie, alternative Energien und Grundlagenforschung. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Mess- und Prüftechnik, ergänzt durch Software, Energietechnik und Werkstoffkunde. Anmeldungen sind seit 2000 durchgehend belegt.

8.392 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von