Elastic-wave device with partially buried interdigitated comb electrodes

WO2025141190 Art A1 3. Juli 2025

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025141190
Aktenzeichen: EP24837426
Anmeldetag: 30. Dezember 2024
Veröffentlichung: 3. Juli 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H03H3/10H03H9/02H03H9/64H10N30/045

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

801 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von