Semiconductor memory device using electric field effect of anti-ferroelectric and manufacturing method thereof

WO2025143649 Art A1 3. Juli 2025

Anmelder: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025143649
Aktenzeichen: EP24913592
Anmeldetag: 11. Dezember 2024
Veröffentlichung: 3. Juli 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10B51/30H10D64/68H10D30/60H10D48/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Seoul National University R&DB Foundation

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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