Anti-spacer masking process using resist layer with solubility shifting agent
WO2025144722
Art A1
3. Juli 2025
Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED, GEMINATIO, INC. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025144722
- Aktenzeichen
- EP24914203
- Anmeldetag
- 20. Dezember 2024
- Veröffentlichung
- 3. Juli 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G03F7/00G03F7/20G03F7/40G03F7/32G03F7/095H01L21/027
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- TOKYO ELECTRON LIMITED
GEMINATIO, INC. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokyo Electron
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.
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