Dynamic random-access memory array based on tunnel field-effect transistors and control method therefor

WO2025148443 Art A1 17. Juli 2025

Anmelder: PEKING UNIVERSITY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025148443
Aktenzeichen: EP24916494
Anmeldetag: 14. Oktober 2024
Veröffentlichung: 17. Juli 2025
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/406G11C11/4074G11C11/408G11C11/4094

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: PEKING UNIVERSITY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

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Fachgebiete

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