Dram unit structure and operation method therefor, and dram array structure and operation method and manufacturing method therefor

WO2025149058 Art A1 17. Juli 2025

Anmelder: BEIJING SUPERSTRING ACADEMY OF MEMORY TECHNOLOGY, TSINGHUA UNIVERSITY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025149058
Aktenzeichen: EP25738585
Anmeldetag: 10. Januar 2025
Veröffentlichung: 17. Juli 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10B12/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: BEIJING SUPERSTRING ACADEMY OF MEMORY TECHNOLOGY
TSINGHUA UNIVERSITY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Beijing Superstring Academy of Memory Technology

Die Beijing Superstring Academy of Memory Technology ist eine 2020 gegründete chinesische Forschungseinrichtung mit Sitz in Peking, die neue Speicherzellarchitekturen für zukünftige DRAM-Technologien entwickelt. Das Patentportfolio konzentriert sich nahezu vollständig auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente sowie Datenspeichertechnik. Die noch junge Patenttätigkeit stammt aus den Jahren 2021 bis 2025.

255 Patente in unserer Datenbank

🇨🇳 Tsinghua University

Chinesische Universität mit Sitz in Peking, eine der führenden Forschungshochschulen des Landes. Aktiv in Ingenieurwissenschaften, Informatik, Materialwissenschaften und Naturwissenschaften sowie in zahlreichen technischen Anwendungsfeldern.

3.285 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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