Silicon carbide semiconductor device

WO2025150313 Art A1 17. Juli 2025

Anmelder: FUJI ELECTRIC CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025150313
Aktenzeichen: EP24916998
Anmeldetag: 4. Dezember 2024
Veröffentlichung: 17. Juli 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10D30/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: FUJI ELECTRIC CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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