Device fabrication methods with ion beam processing

WO2025151160 Art A1 17. Juli 2025

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2025151160
Aktenzeichen
EP24917511
Anmeldetag
20. September 2024
Veröffentlichung
17. Juli 2025
Rechtsraum
WO
IPC
H01L25/18H01L25/16H01L21/3065H01L23/00
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
TOKYO ELECTRON LIMITED
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

6.255 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen