Sidewall metal contact integration through the direct etch of a merged source-and-drain contact

WO2025151200 Art A1 17. Juli 2025

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED, ADVANCED MICRO DEVICES, INC. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025151200
Aktenzeichen: EP24917472
Anmeldetag: 25. November 2024
Veröffentlichung: 17. Juli 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10D84/01H10D88/00H10D62/10H10D30/67H10D30/01H10D64/01

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: TOKYO ELECTRON LIMITED
ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

6.254 Patente in unserer Datenbank

🇺🇸 Advanced Micro Devices

US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.

2.407 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von