Source/drain (s/d) Epitaxial Growth in Gate-All-Around (gaa) Nanosheet Device

WO2025151230 Art A1 17. Juli 2025

Anmelder: APPLIED MATERIALS, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025151230
Aktenzeichen: EP24917426
Anmeldetag: 12. Dezember 2024
Veröffentlichung: 17. Juli 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10D30/01H10D30/00H10D30/60H10D30/62H10D64/23

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: APPLIED MATERIALS, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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