Apparatus and method for dry etching of aluminum gallium arsenide optical waveguides using argon gas plasma
WO2025153009
Art A1
24. Juli 2025
Anmelder: THE HONG KONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025153009
- Aktenzeichen
- EP25741570
- Anmeldetag
- 16. Januar 2025
- Veröffentlichung
- 24. Juli 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G02B6/136H01L21/3065
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- THE HONG KONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
The Hong Kong University of Science and Technology
The Hong Kong University of Science and Technology ist eine chinesische Universität mit breiter naturwissenschaftlicher und technischer Forschung. Das Patentportfolio verteilt sich auf Medizintechnik, organische Chemie und Halbleiterbauelemente, ergänzt um Farben, Messtechnik und Nachrichtentechnik. Anmeldungen laufen von 2002 bis in die Gegenwart.
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Vertreten von
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