Method for determining defect region of silicon single-crystal substrate

WO2025154521 Art A1 24. Juli 2025

Anmelder: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2025154521
Aktenzeichen
EP24918432
Anmeldetag
26. Dezember 2024
Veröffentlichung
24. Juli 2025
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/66C30B29/06G01N21/956
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.180 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von

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