Electronic circuits for acquiring the threshold voltage of a power transistor

WO2025158122 Art A1 31. Juli 2025

Anmelder: SAFRAN, INSTITUT NATIONAL POLYTECHNIQUE DE TOULOUSE, CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE, UNIVERSITÉ TOULOUSE III - PAUL SABATIER 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025158122
Aktenzeichen: EP25707431
Anmeldetag: 23. Januar 2025
Veröffentlichung: 31. Juli 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H03K17/18G01R31/26G01R31/27H02M1/08H02M1/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: SAFRAN
INSTITUT NATIONAL POLYTECHNIQUE DE TOULOUSE
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE
UNIVERSITÉ TOULOUSE III - PAUL SABATIER
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 SAFRAN

Safran ist ein französischer Luftfahrt- und Verteidigungskonzern mit Sitz in Paris. Die Patente umfassen Flugzeugtriebwerke, Avionik und Landungssysteme.

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🇫🇷 Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Französische staatliche Forschungsorganisation mit Sitz in Paris. Betreibt Grundlagen- und angewandte Forschung in nahezu allen wissenschaftlichen Disziplinen über zahlreiche Institute und Labore.

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Fachgebiete

Elektrische Energietechnik Elektronik & Schaltungstechnik Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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