Method for manufacturing electron transport layer thin film for quantum dot light-emitting diode using supercycle atomic layer deposition and quantum dot light-emitting diode manufactured thereby

WO2025159535 Art A1 31. Juli 2025

Anmelder: INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG, RESEARCH ¿ BUSINESS FOUNDATION SUNGKYUNKWAN UNIVER 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2025159535
Aktenzeichen
EP25745359
Anmeldetag
23. Januar 2025
Veröffentlichung
31. Juli 2025
Rechtsraum
WO
IPC
H10K50/16H10K50/15H10K50/115H10K71/16H10K71/00C23C16/455C23C16/40H10K71/40
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG
RESEARCH ¿ BUSINESS FOUNDATION SUNGKYUNKWAN UNIVER
Land
🇰🇷 Südkorea
🇰🇷 Industry-University Cooperation Foundation Hanyang

Die Industry-University Cooperation Foundation Hanyang ist die Forschungstransferstelle der Hanyang University in Südkorea. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Medizintechnik, ergänzt um Mess- und Prüftechnik und Software. Anmeldungen laufen von 2011 bis in die Gegenwart.

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