Method for manufacturing electron transport layer thin film for quantum dot light-emitting diode using supercycle atomic layer deposition and quantum dot light-emitting diode manufactured thereby
WO2025159535
Art A1
31. Juli 2025
Anmelder: INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG, RESEARCH ¿ BUSINESS FOUNDATION SUNGKYUNKWAN UNIVER 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025159535
- Aktenzeichen
- EP25745359
- Anmeldetag
- 23. Januar 2025
- Veröffentlichung
- 31. Juli 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H10K50/16H10K50/15H10K50/115H10K71/16H10K71/00C23C16/455C23C16/40H10K71/40
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG
RESEARCH ¿ BUSINESS FOUNDATION SUNGKYUNKWAN UNIVER - Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
Industry-University Cooperation Foundation Hanyang
Die Industry-University Cooperation Foundation Hanyang ist die Forschungstransferstelle der Hanyang University in Südkorea. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Medizintechnik, ergänzt um Mess- und Prüftechnik und Software. Anmeldungen laufen von 2011 bis in die Gegenwart.
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