Manufacturing method for a semiconductor device and semiconductor device

WO2025162563 Art A1 7. August 2025

Anmelder: HITACHI ENERGY LTD 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025162563
Aktenzeichen: EP24703296
Anmeldetag: 30. Januar 2024
Veröffentlichung: 7. August 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L21/44H10D64/68H10D62/83H10D62/85H10D62/86

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: HITACHI ENERGY LTD
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇨🇭 Hitachi Energy

Unternehmen mit Sitz in der Schweiz, hervorgegangen aus dem japanischen Hitachi-Konzern und der früheren Energiesparte von ABB. Entwickelt Technik für Stromübertragung, -verteilung und Netzautomatisierung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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