Method for manufacturing semiconductor substrate, composition for forming resist underlayer film, and method for producing nitrogen-containing compound

WO2025164408 Art A1 7. August 2025

Anmelder: JSR CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025164408
Aktenzeichen: EP25748217
Anmeldetag: 20. Januar 2025
Veröffentlichung: 7. August 2025
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/11G03F7/26

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: JSR CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

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Fachgebiete

Optik & Fototechnik

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