Composition for forming resist underlayer film, resist underlayer film, method for forming resist pattern, and method for manufacturing semiconductor device

WO2025164510 Art A1 7. August 2025

Anmelder: NISSAN CHEMICAL CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025164510
Aktenzeichen: EP25748092
Anmeldetag: 23. Januar 2025
Veröffentlichung: 7. August 2025
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/11C08G8/28G03F7/004H01L21/027

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NISSAN CHEMICAL CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nissan Chemical Corporation

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, das agrochemische Wirkstoffe, elektronische Materialien sowie Feinchemikalien für die Halbleiterindustrie herstellt. Das Unternehmen wurde 1887 gegründet und hieß bis 2015 Nissan Chemical Industries.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Kunststoff- & Polymertechnik Optik & Fototechnik

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