Method for selective exposure of wafer to corrective irradiation at a per-die level

WO2025165500 Art A1 7. August 2025

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2025165500
Aktenzeichen
EP24922392
Anmeldetag
19. Dezember 2024
Veröffentlichung
7. August 2025
Rechtsraum
WO
IPC
G03F7/20G03F7/00
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
TOKYO ELECTRON LIMITED
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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