Chemical vapor deposition of germanium nitride on group-iii nitride semiconductors

WO2025165815 Art A1 7. August 2025

Anmelder: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025165815
Aktenzeichen: EP25748812
Anmeldetag: 29. Januar 2025
Veröffentlichung: 7. August 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H10D62/10H10H20/01H01L23/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 University of California

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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