Memory cell, memory, memory preparation method, chip, and electronic device

WO2025167098 Art A1 14. August 2025

Anmelder: BEIJING SUPERSTRING ACADEMY OF MEMORY TECHNOLOGY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025167098
Aktenzeichen: EP24923307
Anmeldetag: 9. September 2024
Veröffentlichung: 14. August 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10B12/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: BEIJING SUPERSTRING ACADEMY OF MEMORY TECHNOLOGY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Beijing Superstring Academy of Memory Technology

Die Beijing Superstring Academy of Memory Technology ist eine 2020 gegründete chinesische Forschungseinrichtung mit Sitz in Peking, die neue Speicherzellarchitekturen für zukünftige DRAM-Technologien entwickelt. Das Patentportfolio konzentriert sich nahezu vollständig auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente sowie Datenspeichertechnik. Die noch junge Patenttätigkeit stammt aus den Jahren 2021 bis 2025.

255 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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