Composition for forming resist underlayer film, resist underlayer film, method for forming resist pattern, and method for producing semiconductor device

WO2025169764 Art A1 14. August 2025

Anmelder: NISSAN CHEMICAL CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025169764
Aktenzeichen: EP25752018
Anmeldetag: 27. Januar 2025
Veröffentlichung: 14. August 2025
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/11C07D209/82C08G61/02G03F7/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NISSAN CHEMICAL CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nissan Chemical Corporation

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, das agrochemische Wirkstoffe, elektronische Materialien sowie Feinchemikalien für die Halbleiterindustrie herstellt. Das Unternehmen wurde 1887 gegründet und hieß bis 2015 Nissan Chemical Industries.

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Fachgebiete

Kunststoff- & Polymertechnik Optik & Fototechnik Organische Chemie

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