Semiconductor substrate production method and composition for forming resist underlayer film

WO2025169821 Art A1 14. August 2025

Anmelder: JSR CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025169821
Aktenzeichen: EP25751891
Anmeldetag: 30. Januar 2025
Veröffentlichung: 14. August 2025
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/11C08F20/10C08F30/04C08F220/10G03F7/20G03F7/039

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: JSR CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

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Fachgebiete

Kunststoff- & Polymertechnik Optik & Fototechnik

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