Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von N-Dotiertem Sic

WO2025172419 Art A2 21. August 2025

Anmelder: AIXTRON SE 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025172419
Aktenzeichen: EP25705886
Anmeldetag: 13. Februar 2025
Veröffentlichung: 21. August 2025
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/32C23C16/36C23C16/455C23C16/458C30B25/14C30B25/16C30B29/36H01L21/02H01L21/687

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: AIXTRON SE
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Aixtron

Aixtron ist ein deutscher Hersteller von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Der Patentbestand konzentriert sich auf Metallurgie und Oberflächentechnik sowie Halbleiterbauelemente, ergänzt durch Verfahrens- und Messtechnik. Die Anmeldungen aus 2000 bis 2025 betreffen unter anderem die Reinigung und den Betrieb von CVD-Reaktoren.

303 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von