In-situ metal deposition for reduced charging during dielectric etch

WO2025174445 Art A1 21. August 2025

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025174445
Aktenzeichen: EP24925071
Anmeldetag: 6. Dezember 2024
Veröffentlichung: 21. August 2025
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/04C23C16/02C23C16/50C23C16/52

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOKYO ELECTRON LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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