Selective etching of silicon-and-germanium-containing materials with reduced under layer loss

WO2025174546 Art A1 21. August 2025

Anmelder: APPLIED MATERIALS, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025174546
Aktenzeichen: EP25755378
Anmeldetag: 22. Januar 2025
Veröffentlichung: 21. August 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065H01L21/02C09K13/08H10D30/01

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: APPLIED MATERIALS, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

10.794 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Farben, Klebstoffe & Brennstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von