Variable Film Dopant Concentrations For Lateral Etch Rate Control in Reduced Temperature Etching

WO2025174695 Art A1 21. August 2025

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025174695
Aktenzeichen: EP25755457
Anmeldetag: 10. Februar 2025
Veröffentlichung: 21. August 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/311H01L21/02H10B12/00H10B41/27H10B43/27C23C16/40C23C16/455

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von