Perovskite semiconductor that can achieve p-type, n-type and i-type conductivity by means of doping

WO2025175671 Art A1 28. August 2025

Anmelder: ZHEJIANG UNIVERSITY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025175671
Aktenzeichen: EP24925414
Anmeldetag: 21. Juni 2024
Veröffentlichung: 28. August 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10K85/50H10K71/30H10K50/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: ZHEJIANG UNIVERSITY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Zhejiang University

Chinesische Universität mit Sitz in Hangzhou, eine der führenden Forschungshochschulen Chinas mit breitem Fächerspektrum einschließlich Ingenieurwissenschaften und Materialforschung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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