Silicon-carbide device isolation structure based on n-epitaxy, and silicon-carbide high and low-voltage integrated device based on n-epitaxy and preparation method therefor
WO2025175700
Art A1
28. August 2025
Anmelder: SOUTHEAST UNIVERSITY 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025175700
- Aktenzeichen
- EP24925442
- Anmeldetag
- 26. Juli 2024
- Veröffentlichung
- 28. August 2025
- Rechtsraum
- WO
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SOUTHEAST UNIVERSITY
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Southeast University
Chinesische Universität mit Sitz in Nanjing, Schwerpunkt auf Ingenieur- und Technikwissenschaften.
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