Easily integrable high-voltage-withstanding enhancement-mode gallium nitride device
WO2025175760
Art A1
28. August 2025
Anmelder: SOUTHEAST UNIVERSITY 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025175760
- Aktenzeichen
- EP24925500
- Anmeldetag
- 24. September 2024
- Veröffentlichung
- 28. August 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H10D30/47H10D62/10H10D64/23
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SOUTHEAST UNIVERSITY
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Southeast University
Chinesische Universität mit Sitz in Nanjing, Schwerpunkt auf Ingenieur- und Technikwissenschaften.
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Fachgebiete
Vertreten von
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