Micro- and nano-perovskite light emitting diodes, transistor-driven micro- and nano-perovskite light emitting diodes, and preparation methods therefor
WO2025175990
Art A1
28. August 2025
Anmelder: ZHEJIANG UNIVERSITY 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025175990
- Aktenzeichen
- EP25757587
- Anmeldetag
- 21. Januar 2025
- Veröffentlichung
- 28. August 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H10K71/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ZHEJIANG UNIVERSITY
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Zhejiang University
Chinesische Universität mit Sitz in Hangzhou, eine der führenden Forschungshochschulen Chinas mit breitem Fächerspektrum einschließlich Ingenieurwissenschaften und Materialforschung.
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