Production method for ¿-ga2o3/¿-ga2o3 laminate, laminate obtained via said production method, and semiconductor device comprising said laminate

WO2025177952 Art A1 28. August 2025

Anmelder: MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025177952
Aktenzeichen: EP25757889
Anmeldetag: 14. Februar 2025
Veröffentlichung: 28. August 2025
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/16C30B19/04H01L21/20H10D30/60

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Mitsubishi Gas Chemical Company

Japanisches Chemieunternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Fokus auf technische Kunststoffe, Methanol und Spezialchemikalien. Der Konzern beliefert unter anderem die Elektronik- und Verpackungsindustrie.

1.434 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von