Self-Aligned Storage Node Contact in Dynamic Random Access Memory (dram) Device

WO2025178698 Art A1 28. August 2025

Anmelder: APPLIED MATERIALS, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025178698
Aktenzeichen: EP25758766
Anmeldetag: 17. Januar 2025
Veröffentlichung: 28. August 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10B12/00H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: APPLIED MATERIALS, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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