Semiconductor device with heat dissipation means and fabricating method thereof
WO2025179661
Art A1
4. September 2025
Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025179661
- Aktenzeichen
- EP24725724
- Anmeldetag
- 2. April 2024
- Veröffentlichung
- 4. September 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L25/065H01L25/18H01L25/00H01L21/768H01L23/538H01L23/00H01L23/48H01L23/498
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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Fachgebiete
Vertreten von
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