Level shift circuit for improving anti-noise capability of high-voltage gate driver chip
WO2025179925
Art A1
4. September 2025
Anmelder: SOUTHEAST UNIVERSITY 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025179925
- Aktenzeichen
- EP24926786
- Anmeldetag
- 29. Oktober 2024
- Veröffentlichung
- 4. September 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H03K19/003
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SOUTHEAST UNIVERSITY
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Southeast University
Chinesische Universität mit Sitz in Nanjing, Schwerpunkt auf Ingenieur- und Technikwissenschaften.
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