Semiconductor device with an integrated heterojunction diode and method for manufacturing
WO2025180628
Art A1
4. September 2025
Anmelder: HITACHI ENERGY LTD 🇨🇭
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025180628
- Aktenzeichen
- EP24708734
- Anmeldetag
- 28. Februar 2024
- Veröffentlichung
- 4. September 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H10D62/40H10D62/83H10D64/23H10D30/67H10D62/17H10D64/64H10D8/60
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- HITACHI ENERGY LTD
- Land
- 🇨🇭 Schweiz
🇨🇭
Hitachi Energy
Unternehmen mit Sitz in der Schweiz, hervorgegangen aus dem japanischen Hitachi-Konzern und der früheren Energiesparte von ABB. Entwickelt Technik für Stromübertragung, -verteilung und Netzautomatisierung.
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Fachgebiete
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