Composition for forming resist underlayer film, resist underlayer film, method for forming resist pattern, and method for producing semiconductor device

WO2025182556 Art A1 4. September 2025

Anmelder: NISSAN CHEMICAL CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025182556
Aktenzeichen: EP25761470
Anmeldetag: 12. Februar 2025
Veröffentlichung: 4. September 2025
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/11G03F7/20H01L21/027

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NISSAN CHEMICAL CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nissan Chemical Corporation

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, das agrochemische Wirkstoffe, elektronische Materialien sowie Feinchemikalien für die Halbleiterindustrie herstellt. Das Unternehmen wurde 1887 gegründet und hieß bis 2015 Nissan Chemical Industries.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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