Semiconductor device and method for producing same
WO2025183057
Art A1
4. September 2025
Anmelder: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025183057
- Aktenzeichen
- EP25761952
- Anmeldetag
- 27. Februar 2025
- Veröffentlichung
- 4. September 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H10D8/60H10D8/01H10D30/47H10D62/80H10D64/64
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute for Materials Science
Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.
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