Selective etching of alternating layers of silicon oxide and silicon nitride for high aspect ratio contacts

WO2025184011 Art A1 4. September 2025

Anmelder: APPLIED MATERIALS, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025184011
Aktenzeichen: EP25762087
Anmeldetag: 24. Februar 2025
Veröffentlichung: 4. September 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/311H01L21/02H01L21/306

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: APPLIED MATERIALS, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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