Method for manufacturing a substrate, and substrate

WO2025185960 Art A1 12. September 2025

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025185960
Aktenzeichen: EP25704907
Anmeldetag: 13. Februar 2025
Veröffentlichung: 12. September 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10N30/073

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

801 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von