Gallium nitride sputtering target, gallium nitride film, method for producing gallium nitride film, layered substrate, semiconductor element, and electronic equipment

WO2025187567 Art A1 12. September 2025

Anmelder: TOSOH CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2025187567
Aktenzeichen
EP25767757
Anmeldetag
28. Februar 2025
Veröffentlichung
12. September 2025
Rechtsraum
WO
IPC
C23C14/34C04B35/58C23C14/06H01L21/363
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
TOSOH CORPORATION
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Tosoh Corporation

Japanisches Chemieunternehmen, das Petrochemikalien, Spezialchemikalien und Zement herstellt.

1.003 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von

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