Nitride material, and diode and transistor using same

WO2025187656 Art A1 11. September 2025

Anmelder: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025187656
Aktenzeichen: EP25767653
Anmeldetag: 3. März 2025
Veröffentlichung: 11. September 2025
Rechtsraum: WO
IPC: C01G7/00C01G3/00C01G5/00C23C14/06C30B29/38

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

3.785 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von