Thin film device and method for manufacturing thin film device

WO2025187670 Art A1 12. September 2025

Anmelder: OSAKA UNIVERSITY 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025187670
Aktenzeichen: EP25767667
Anmeldetag: 4. März 2025
Veröffentlichung: 12. September 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10N50/10G01R33/09H10N50/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: OSAKA UNIVERSITY
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Osaka University

Staatliche Universität in Osaka, Japan, eine der führenden Forschungsuniversitäten des Landes mit Schwerpunkten in Naturwissenschaften, Medizin und Ingenieurwesen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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