Oxide semiconductor film, transistor, and method for manufacturing oxide semiconductor film
WO2025187688
Art A1
12. September 2025
Anmelder: IDEMITSU KOSAN CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025187688
- Aktenzeichen
- EP25767684
- Anmeldetag
- 4. März 2025
- Veröffentlichung
- 12. September 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/365H01L21/31H10D30/01H10D30/67
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- IDEMITSU KOSAN CO., LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Idemitsu Kosan
Japanisches Energie- und Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Aktiv in Mineralölverarbeitung, petrochemischen Produkten, Schmierstoffen sowie Materialien für organische Leuchtdioden (OLED).
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